casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / US1AHE3/5AT
codice articolo del costruttore | US1AHE3/5AT |
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Numero di parte futuro | FT-US1AHE3/5AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
US1AHE3/5AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
US1AHE3/5AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | US1AHE3/5AT-FT |
S1MHE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL12HE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL12HE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL12HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL12HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL13HE3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL13HE3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL13HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SL13HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS12-E3/1T
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel