casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SL13HE3_A/I
codice articolo del costruttore | SL13HE3_A/I |
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Numero di parte futuro | FT-SL13HE3_A/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SL13HE3_A/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 445mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 30V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SL13HE3_A/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SL13HE3_A/I-FT |
VSSA36S-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSA3L6S-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSA3L6S-M3/61T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1H9
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSB43L-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSB43L-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSB44-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYG10J/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division
10MQ040N
Vishay Semiconductor Diodes Division
10MQ060N
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
Intel
EP3C25F256A7N
Intel
5SGXMA4K2F40C1N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5AGXMA3D4F27I3N
Intel
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel