casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / UPA2672T1R-E2-AX
codice articolo del costruttore | UPA2672T1R-E2-AX |
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Numero di parte futuro | FT-UPA2672T1R-E2-AX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UPA2672T1R-E2-AX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate, 1.8V Drive |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 67 mOhm @ 2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 486pF @ 10V |
Potenza - Max | 2.3W |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-WDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-HUSON (2x2) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UPA2672T1R-E2-AX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UPA2672T1R-E2-AX-FT |
GWS9294
Renesas Electronics America Inc.
HAT1126RWS-E
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