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Renesas Electronics America UPA2670T1R-E2-AX
- Numero parte MFG
- UPA2670T1R-E2-AX
- quantità disponibile
- 79130 pezzi
- Prezzo di riferimento
- USD 0
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- Data di spedizione
- Oggi possiamo spedire
- fabbricante
- Renesas Electronics America
- Breve descrizione
- - MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON
- Stato senza piombo / Stato RoHS
- Conformità RoHS (senza piombo)
- Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
- 1 (illimitato)
- Codice data (D / C)
- Nuovo
- categoria di prodotto
- Transistor - FET, MOSFET - Array
- Risorsa stock
- Distributore in franchising
- Garanzia
- 360 giorni di garanzia di qualità
- scheda dati
- UPA2670T1R-E2-AX.pdf
UPA2670T1R-E2-AX specificazioni
| codice articolo del costruttore | UPA2670T1R-E2-AX |
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-UPA2670T1R-E2-AX |
| SPQ / MOQ | Contattaci |
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
| serie | - |
| UPA2670T1R-E2-AX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | 2 P-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate, 1.8V Drive |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 79 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 5.1nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 473pF @ 10V |
| Potenza - Max | 2.3W |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 6-WDFN Exposed Pad |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 6-HUSON (2x2) |
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| UPA2670T1R-E2-AX Peso | Contattaci |
| Numero parte di ricambio | UPA2670T1R-E2-AX-FT |
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