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codice articolo del costruttore | UP3B-470-R |
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Numero di parte futuro | FT-UP3B-470-R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | UNI-PAC™ |
UP3B-470-R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 47µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.9A |
Corrente - Saturazione | 2.4A |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 108.2 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.760" L x 0.520" W (19.30mm x 13.21mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.268" (6.80mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UP3B-470-R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UP3B-470-R-FT |
DRA125-8R2-R
Eaton - Electronics Division
DRA125-101-R
Eaton - Electronics Division
DRA125-220-R
Eaton - Electronics Division
DRA125-4R7-R
Eaton - Electronics Division
DRA125-100-R
Eaton - Electronics Division
DRA125-102-R
Eaton - Electronics Division
DRA125-151-R
Eaton - Electronics Division
DRA125-1R0-R
Eaton - Electronics Division
DRA125-1R5-R
Eaton - Electronics Division
DRA125-221-R
Eaton - Electronics Division
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel