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codice articolo del costruttore | DRA125-101-R |
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Numero di parte futuro | FT-DRA125-101-R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DRA |
DRA125-101-R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 100µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 1.745A |
Corrente - Saturazione | 2.213A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 178 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | AEC-Q200 |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 165°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.492" L x 0.492" W (12.50mm x 12.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.236" (6.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA125-101-R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRA125-101-R-FT |
FP3-100-R
Eaton - Electronics Division
FP3-R20-R
Eaton - Electronics Division
FP3-R68-R
Eaton - Electronics Division
FP1208R1-R21-R
Eaton - Electronics Division
FP1208R1-R15-R
Eaton - Electronics Division
FP1208R1-R18-R
Eaton - Electronics Division
FP1208R1-R23-R
Eaton - Electronics Division
FP1208R1-R25-R
Eaton - Electronics Division
FP1107R2-R40-R
Eaton - Electronics Division
FP1107R1-R40-R
Eaton - Electronics Division
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel