casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / UNR911EJ0L
codice articolo del costruttore | UNR911EJ0L |
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Numero di parte futuro | FT-UNR911EJ0L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UNR911EJ0L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 80MHz |
Potenza - Max | 125mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-89, SOT-490 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SSMini3-F1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR911EJ0L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UNR911EJ0L-FT |
UNR9217J0L
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UNR9219J0L
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UNR921DJ0L
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UNR921EJ0L
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UNR921NJ0L
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DRA3113Z0L
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DRA3114Y0L
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DRA3115E0L
Panasonic Electronic Components
DRA3115G0L
Panasonic Electronic Components
XC6SLX4-L1TQG144I
Xilinx Inc.
XC2S30-5VQ100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-N3FGG484I
Xilinx Inc.
APA600-FG484
Microsemi Corporation
APA450-FG256
Microsemi Corporation
EP20K30EFC144-3
Intel
5AGZME1E3H29I4N
Intel
XA6SLX9-2CSG225Q
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1020I7N
Intel