casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / UNR521NG0L
codice articolo del costruttore | UNR521NG0L |
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Numero di parte futuro | FT-UNR521NG0L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UNR521NG0L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 150MHz |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-85 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMini3-F2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR521NG0L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UNR521NG0L-FT |
DRC9144E0L
Panasonic Electronic Components
DRC9144V0L
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DRA9113Z0L
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DRA9114E0L
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DRA9123E0L
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DRA9124T0L
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A40MX02-FVQG80
Microsemi Corporation
LFEC3E-3T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX9-2FTG256I
Xilinx Inc.
XC3SD1800A-4FG676C
Xilinx Inc.
10M25SCE144A7G
Intel
5SGXEA3K2F35I2LN
Intel
XC7VX690T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
XA7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
5AGXBA7D4F35I5N
Intel
EP20K200EBC356-2N
Intel