casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DRA9113Z0L
codice articolo del costruttore | DRA9113Z0L |
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Numero di parte futuro | FT-DRA9113Z0L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DRA9113Z0L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 125mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-89, SOT-490 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SSMini3-F3-B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA9113Z0L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRA9113Z0L-FT |
DTD123TKT146
Rohm Semiconductor
DTD123YKT146
Rohm Semiconductor
DTA143TKAT146
Rohm Semiconductor
DTC113ZKAT146
Rohm Semiconductor
DTA143EKAT146
Rohm Semiconductor
DTA144EKAT146
Rohm Semiconductor
DTC124XKAT146
Rohm Semiconductor
DTD113ZKT146
Rohm Semiconductor
DTD143EKT146
Rohm Semiconductor
DTA113TKAT146
Rohm Semiconductor
A3P015-2QNG68
Microsemi Corporation
XA2S100E-6TQ144Q
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P125-2TQG144I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
EP2C35U484I8N
Intel
XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
XA7A15T-2CSG324I
Xilinx Inc.
LFXP3E-3Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel