casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / UNR521000L
codice articolo del costruttore | UNR521000L |
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Numero di parte futuro | FT-UNR521000L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UNR521000L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 150MHz |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMini3-G1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR521000L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UNR521000L-FT |
DRA5124X0L
Panasonic Electronic Components
DRA5143X0L
Panasonic Electronic Components
DRA5143Y0L
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DRA5143Z0L
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DRA5144V0L
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DRA5144W0L
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DRA5152Z0L
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DRA5L14Y0L
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DRC5113Z0L
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DRC5115T0L
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XC2VP2-6FG456C
Xilinx Inc.
A42MX36-BGG272I
Microsemi Corporation
A54SX72A-FFG484
Microsemi Corporation
P1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF40C3
Intel
XC5VLX110T-1FFG1738CES
Xilinx Inc.
XC7VX690T-3FFG1930E
Xilinx Inc.
A54SX32A-BG329M
Microsemi Corporation
LFXP2-5E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX90FF1508I4
Intel