casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DRA5152Z0L
codice articolo del costruttore | DRA5152Z0L |
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Numero di parte futuro | FT-DRA5152Z0L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DRA5152Z0L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 510 Ohms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 5.1 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-85 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMini3-F2-B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DRA5152Z0L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DRA5152Z0L-FT |
DTA144VKAT146
Rohm Semiconductor
DTA144WKAT146
Rohm Semiconductor
DTB114TKT146
Rohm Semiconductor
DTB122JKT146
Rohm Semiconductor
DTB143TKT146
Rohm Semiconductor
DTC115GKAT146
Rohm Semiconductor
DTC115TKAT146
Rohm Semiconductor
DTC124EKAT246
Rohm Semiconductor
DTC124GKAT146
Rohm Semiconductor
DTC125TKAT146
Rohm Semiconductor
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
APA450-FGG484
Microsemi Corporation
EP1S20F672C7
Intel
EP4CGX30CF23I7N
Intel
10CX105YU484I6G
Intel
5SGSMD3E2H29I2N
Intel
10AX027H4F34E3SG
Intel
5SGXEB9R1H43C2N
Intel
LCMXO2-2000UHC-5FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel