casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / UNR421800A
codice articolo del costruttore | UNR421800A |
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Numero di parte futuro | FT-UNR421800A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UNR421800A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 510 Ohms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 5.1 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 150MHz |
Potenza - Max | 300mW |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 3-SSIP |
Pacchetto dispositivo fornitore | NS-B1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR421800A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UNR421800A-FT |
UNR51ATG0L
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UNR51AVG0L
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UNR521000L
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UNR5210G0L
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UNR5213G0L
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XC2S50-5TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-2CSG484C
Xilinx Inc.
LCMXO1200C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD6K3F40C4N
Intel
5SGXMABN3F45C3N
Intel
XC7VX550T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
XC2VP50-6FF1152I
Xilinx Inc.
AGL250V2-CS196
Microsemi Corporation
EP20K400ERI240-3
Intel
EP20K160EQC208-2N
Intel