casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / UNR412400A
codice articolo del costruttore | UNR412400A |
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Numero di parte futuro | FT-UNR412400A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UNR412400A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 100mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 1µA |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
Potenza - Max | 300mW |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 3-SSIP |
Pacchetto dispositivo fornitore | NS-A1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR412400A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UNR412400A-FT |
UNR521WG0L
Panasonic Electronic Components
UNR52A0G0L
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UNR52A1G0L
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UNR52A2G0L
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UNR52AMG0L
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UNR52ANG0L
Panasonic Electronic Components
EX64-TQG64I
Microsemi Corporation
XCVU080-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z2QNG48
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
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5SGXMB5R2F43C2LN
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
APA150-TQ100
Microsemi Corporation
5AGXFA7H4F35C4N
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