casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / UNR52A2G0L

            | codice articolo del costruttore | UNR52A2G0L | 
|---|---|
| Numero di parte futuro | FT-UNR52A2G0L | 
| SPQ / MOQ | Contattaci | 
| Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others | 
| serie | - | 
| UNR52A2G0L Stato (ciclo di vita) | Disponibile | 
| Stato parte | Obsolete | 
| Transistor Type | NPN - Pre-Biased | 
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 80mA | 
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V | 
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms | 
| Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms | 
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V | 
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA | 
| Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA | 
| Frequenza - Transizione | 150MHz | 
| Potenza - Max | 150mW | 
| Tipo di montaggio | Surface Mount | 
| Pacchetto / caso | SC-85 | 
| Pacchetto dispositivo fornitore | SMini3-F2 | 
| Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN | 
| UNR52A2G0L Peso | Contattaci | 
| Numero parte di ricambio | UNR52A2G0L-FT | 

DRC5114E0L
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DRC5114T0L
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DRC5143Z0L
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DRC5144E0L
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UNR51AMG0L
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UNR5214G0L
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UNR5215G0L
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UNR521800L
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UNR521E00L
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XC6SLX150-3FG676C
Xilinx Inc.

XC3S2000-5FGG900C
Xilinx Inc.

XC4028XL-1HQ304I
Xilinx Inc.

A54SX32A-FGG256I
Microsemi Corporation

EP4CE22E22C9L
Intel

LCMXO2-7000ZE-3FG484I
Lattice Semiconductor Corporation

5CGXBC9E6F31C7N
Intel

EPF10K100EQC240-3N
Intel

EP1K100QC208-2
Intel

EP1SGX25DF1020C7N
Intel