casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / UNR32AEG0L
codice articolo del costruttore | UNR32AEG0L |
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Numero di parte futuro | FT-UNR32AEG0L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UNR32AEG0L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 80mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 150MHz |
Potenza - Max | 100mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-723 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SSSMini3-F1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR32AEG0L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UNR32AEG0L-FT |
DRC3144T0L
Panasonic Electronic Components
UNR311300L
Panasonic Electronic Components
UNR31A1G0L
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UNR31A3G0L
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UNR31AMG0L
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UNR9112J0L
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UNR9114J0L
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AGLN020V2-CSG81I
Microsemi Corporation
A54SX32A-1FGG256
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FC256-2N
Intel
5SGXMBBR3H43I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3L
Intel
XA7A50T-1CPG236Q
Xilinx Inc.
LFXP2-17E-5FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC3E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX30DF780C5
Intel