casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / UNR32A4G0L
codice articolo del costruttore | UNR32A4G0L |
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Numero di parte futuro | FT-UNR32A4G0L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UNR32A4G0L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 80mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 150MHz |
Potenza - Max | 100mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-723 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SSSMini3-F1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR32A4G0L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UNR32A4G0L-FT |
PDTA115EK,115
NXP USA Inc.
PDTA115TK,115
NXP USA Inc.
PDTA123EK,115
NXP USA Inc.
PDTA123JK,115
NXP USA Inc.
PDTA123TK,115
NXP USA Inc.
PDTA123YK,115
NXP USA Inc.
PDTA124EK,115
NXP USA Inc.
PDTA124TK,115
NXP USA Inc.
PDTA124XK,115
NXP USA Inc.
PDTA143EK,115
NXP USA Inc.
EP1C6T144C8
Intel
EPF6016ATC144-1N
Intel
LCMXO1200C-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4013E-3BG225I
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FG256
Microsemi Corporation
APA300-PQ208A
Microsemi Corporation
EP4CGX150CF23I7
Intel
EP2AGZ350HF40I4N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1930E
Xilinx Inc.
EPF8820AQC208-3
Intel