casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / UNR31AE00L
codice articolo del costruttore | UNR31AE00L |
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Numero di parte futuro | FT-UNR31AE00L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UNR31AE00L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 80mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 80MHz |
Potenza - Max | 100mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-723 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SSSMini3-F1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR31AE00L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UNR31AE00L-FT |
UNR221200L
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UNR221300L
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UNR221400L
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UNR221500L
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Intel
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Lattice Semiconductor Corporation
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Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FG256
Microsemi Corporation
APA300-PQ208A
Microsemi Corporation
EP4CGX150CF23I7
Intel
EP2AGZ350HF40I4N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1930E
Xilinx Inc.
EPF8820AQC208-3
Intel