casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / UNR221200L
codice articolo del costruttore | UNR221200L |
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Numero di parte futuro | FT-UNR221200L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UNR221200L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 22 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 150MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | Mini3-G1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR221200L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UNR221200L-FT |
FJV4102RMTF
ON Semiconductor
FJV4103RMTF
ON Semiconductor
FJV4104RMTF
ON Semiconductor
FJV4105RMTF
ON Semiconductor
FJV4106RMTF
ON Semiconductor
FJV4107RMTF
ON Semiconductor
FJV4108RMTF
ON Semiconductor
FJV4109RMTF
ON Semiconductor
FJV4110RMTF
ON Semiconductor
FJV4111RMTF
ON Semiconductor
XCV300E-7FG456C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG484
Microsemi Corporation
EP4CGX50CF23C8
Intel
5SGSMD4E1H29C1N
Intel
10CL006YE144I7G
Intel
5SGXMA7N3F45I3N
Intel
A1020B-2PLG44C
Microsemi Corporation
LFE2-50SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000ZE-3BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation