casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / UNR221N00L
codice articolo del costruttore | UNR221N00L |
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Numero di parte futuro | FT-UNR221N00L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UNR221N00L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 150MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | Mini3-G1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR221N00L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UNR221N00L-FT |
FJV4112RMTF
ON Semiconductor
MMUN2111LT1
ON Semiconductor
MMUN2113LT1
ON Semiconductor
MMUN2114LT1
ON Semiconductor
MMUN2213LT1
ON Semiconductor
MMUN2216LT1
ON Semiconductor
MMUN2232LT1
ON Semiconductor
MMUN2233LT1
ON Semiconductor
MUN2111T1
ON Semiconductor
PBRN113EK,115
NXP USA Inc.
A1415A-PQG100M
Microsemi Corporation
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC3SD3400A-4CS484LI
Xilinx Inc.
APA1000-BGG456
Microsemi Corporation
EPF10K200SFI672-2
Intel
EP3SL340F1517I4LN
Intel
XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.
XC6VSX475T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000HE-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C8LN
Intel