casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / PBRN113EK,115
codice articolo del costruttore | PBRN113EK,115 |
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Numero di parte futuro | FT-PBRN113EK,115 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PBRN113EK,115 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 600mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40V |
Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 1 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 300mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.15V @ 8mA, 800mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 250mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMT3; MPAK |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PBRN113EK,115 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PBRN113EK,115-FT |
DRC2543E0L
Panasonic Electronic Components
DRC2614T0L
Panasonic Electronic Components
DRC2643T0L
Panasonic Electronic Components
FJV4113RMTF
ON Semiconductor
BCR 108 B6327
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BCR 119 E6433
Infineon Technologies
BCR 133 B6327
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BCR 135 B6327
Infineon Technologies
BCR 148 B6327
Infineon Technologies
BCR 158 B6327
Infineon Technologies
XC7A12T-L1CSG325I
Xilinx Inc.
AX250-1FG256M
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
EP2S60F672C4N
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EP4SE820H40C3N
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XC6VLX75T-L1FF784I
Xilinx Inc.
A40MX02-2PQ100I
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6F23I7N
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10AX016E4F29I3SG
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