casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / UNR212X00L
codice articolo del costruttore | UNR212X00L |
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Numero di parte futuro | FT-UNR212X00L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UNR212X00L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 270 Ohms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 5 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | Mini3-G1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UNR212X00L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UNR212X00L-FT |
FJV3112RMTF
ON Semiconductor
FJV3115RMTF
ON Semiconductor
FJV4101RMTF
ON Semiconductor
FJV4102RMTF
ON Semiconductor
FJV4103RMTF
ON Semiconductor
FJV4104RMTF
ON Semiconductor
FJV4105RMTF
ON Semiconductor
FJV4106RMTF
ON Semiconductor
FJV4107RMTF
ON Semiconductor
FJV4108RMTF
ON Semiconductor
A3P030-1QNG68
Microsemi Corporation
M2GL050S-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-5F900I
Lattice Semiconductor Corporation
10M50DAF256C6GES
Intel
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
XC7VX415T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-6BG332C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-640ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EQC240-1N
Intel