casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / BC856UE6327HTSA1
codice articolo del costruttore | BC856UE6327HTSA1 |
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Numero di parte futuro | FT-BC856UE6327HTSA1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BC856UE6327HTSA1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Last Time Buy |
Transistor Type | 2 PNP (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 65V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 650mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 15nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 200 @ 2mA, 5V |
Potenza - Max | 250mW |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-74, SOT-457 |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-SC74-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BC856UE6327HTSA1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BC856UE6327HTSA1-FT |
XP0643500L
Panasonic Electronic Components
XP0650100L
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XP0653400L
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Intel
XC6SLX45-L1CSG484I
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XC5VLX50T-3FFG1136C
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XC7VX690T-2FFG1158I
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XC7V585T-2FFG1157I
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XC5VLX50-1FF676I
Xilinx Inc.
LFXP10C-4FN256C
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LAE3-35EA-6FN484E
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S80F1020C5
Intel