casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / ULN2003BN
codice articolo del costruttore | ULN2003BN |
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Numero di parte futuro | FT-ULN2003BN |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ULN2003BN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 7 NPN Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Potenza - Max | - |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 16-DIP (0.300", 7.62mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 16-PDIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ULN2003BN Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ULN2003BN-FT |
DMG204B10R
Panasonic Electronic Components
XN0440100L
Panasonic Electronic Components
XN0440200L
Panasonic Electronic Components
XN0440400L
Panasonic Electronic Components
XN0450100L
Panasonic Electronic Components
XN0450200L
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XN0450400L
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XN0450500L
Panasonic Electronic Components
XN0450600L
Panasonic Electronic Components
XN0460100L
Panasonic Electronic Components
XC3030A-7PQ100C
Xilinx Inc.
A3PE600-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL025-1VF400
Microsemi Corporation
A40MX02-1PLG68
Microsemi Corporation
EP4CE15F23C6
Intel
EP2C5AF256A7N
Intel
M1A3P400-FGG144I
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG144
Microsemi Corporation
5CGXBC4C7U19C8N
Intel
EP4CE75F29C9LN
Intel