casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / ULN2003BN
codice articolo del costruttore | ULN2003BN |
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Numero di parte futuro | FT-ULN2003BN |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
ULN2003BN Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 7 NPN Darlington |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 50µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Potenza - Max | - |
Frequenza - Transizione | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 16-DIP (0.300", 7.62mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 16-PDIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ULN2003BN Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ULN2003BN-FT |
DMG204B10R
Panasonic Electronic Components
XN0440100L
Panasonic Electronic Components
XN0440200L
Panasonic Electronic Components
XN0440400L
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XN0450100L
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XN0450200L
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XN0450400L
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XN0450500L
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XN0450600L
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XN0460100L
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A3P400-1PQG208
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A3PN250-2VQ100I
Microsemi Corporation
EP20K200EFC484-3
Intel
5SGXEA7H2F35I2L
Intel
XC4010XL-3BG256C
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XC4005XL-3PC84I
Xilinx Inc.
XC6VLX240T-1FF1156C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H2F34I1SG
Intel
10AX016E3F29I2LG
Intel