casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array / XN0460100L
codice articolo del costruttore | XN0460100L |
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Numero di parte futuro | FT-XN0460100L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
XN0460100L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN, PNP |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 100µA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 2mA, 10V |
Potenza - Max | 300mW |
Frequenza - Transizione | 150MHz, 80MHz |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-23-6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | MINI6-G1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
XN0460100L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | XN0460100L-FT |
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