casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / S1GHE3/5AT
codice articolo del costruttore | S1GHE3/5AT |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-S1GHE3/5AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
S1GHE3/5AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.8µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 12pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
S1GHE3/5AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | S1GHE3/5AT-FT |
VS-20MQ040NTRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20MQ060-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20MQ060HM3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20MQ060NTRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20MQ100-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20MQ100HM3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20MQ100NTRPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-2EMH01-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-2EMH01HM3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-2EMH02-M3/5AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX08A-1TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-12E-6T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EX128-TQ100A
Microsemi Corporation
XCKU5P-2FFVB676E
Xilinx Inc.
XC7S100-1FGGA676C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1K100FC256-1
Intel
XC7K70T-1FBG484I
Xilinx Inc.
LFX200B-04F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-4MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation