casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / UGE8JT-E3/45
codice articolo del costruttore | UGE8JT-E3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-UGE8JT-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UGE8JT-E3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.75V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 30µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UGE8JT-E3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UGE8JT-E3/45-FT |
FESE8GT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESE8HT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESE8JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI1401-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI1401HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI1402-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI1402HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI1403-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI1403HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
GI1404-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-7000ZE-1TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16A-1FG144
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
APA750-PQ208
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484I7
Intel
10M08DAF484C7G
Intel
EP4SE530H40I3
Intel
XCV100-5BG256C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C5N
Intel