casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / FESE8GT-E3/45
codice articolo del costruttore | FESE8GT-E3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-FESE8GT-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FESE8GT-E3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Capacità @ Vr, F | 85pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FESE8GT-E3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FESE8GT-E3/45-FT |
VS-8TQ080-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR1035-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR1045-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR1635-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR1645-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR735-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBR745-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-STPS20L15D-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
FES8JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR1090-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S50-5TQ144C
Xilinx Inc.
XC3S500E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2S200-5FG456I
Xilinx Inc.
M2GL025T-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3P250-2VQ100
Microsemi Corporation
EPF10K200SFC672-1
Intel
5SGXEB5R2F43C2L
Intel
XC4044XL-1HQ208C
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation