casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / MBR2545CT-7HE3/45
codice articolo del costruttore | MBR2545CT-7HE3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-MBR2545CT-7HE3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MBR2545CT-7HE3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 12.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 820mV @ 30A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 45V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MBR2545CT-7HE3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MBR2545CT-7HE3/45-FT |
FEP6DT-5410HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP6DT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEP6DTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPE16CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPE16DT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPE16FT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPE16GT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPE16HT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPE16JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FEPF16AT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N3F40I3LN
Intel
5SGXMB6R1F40I2N
Intel
EP2AGX95DF25C4N
Intel
EP4SGX530KH40C4N
Intel
XC5VLX50T-1FFG1136C
Xilinx Inc.
LFXP2-5E-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP1S10F780C5
Intel