casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / UGB15JT-E3H/I
codice articolo del costruttore | UGB15JT-E3H/I |
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Numero di parte futuro | FT-UGB15JT-E3H/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UGB15JT-E3H/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.75V @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 30µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (D2Pak) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UGB15JT-E3H/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UGB15JT-E3H/I-FT |
MBRB16H35HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB16H45-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB16H45HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB16H45HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB16H50-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB16H50HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB16H60-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB16H60-E3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB16H60HE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBRB16H60HE3/81
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel