casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / UG8CTHE3/45
codice articolo del costruttore | UG8CTHE3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-UG8CTHE3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UG8CTHE3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UG8CTHE3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UG8CTHE3/45-FT |
FES8JTHE3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESE16AT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESE16BT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESE16CT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESE16DT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESE16FT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESE16GT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESE16HT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESE16JT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
FESE8AT-E3/45
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2L
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
5CEFA7F23C8N
Intel
EP20K200EQC208-1
Intel