casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / FESE16DT-E3/45
codice articolo del costruttore | FESE16DT-E3/45 |
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Numero di parte futuro | FT-FESE16DT-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
FESE16DT-E3/45 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 16A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 16A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 175pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AC |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FESE16DT-E3/45 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | FESE16DT-E3/45-FT |
VS-18TQ045-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-19TQ015-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20L15T-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20TQ035-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20TQ040-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-20TQ045-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6TQ035-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6TQ040-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-6TQ045-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8TQ060-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
10CL055YU484C8G
Intel
EP4SGX230KF40C3N
Intel
5SGSMD4E3H29I3LN
Intel
LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
Intel
10AX032E2F29E1HG
Intel