casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / UG1007GHC0G
codice articolo del costruttore | UG1007GHC0G |
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Numero di parte futuro | FT-UG1007GHC0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
UG1007GHC0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 500V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 30ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 500V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UG1007GHC0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UG1007GHC0G-FT |
MBR10H100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR10L100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR10L100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR15100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR15150CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR15150CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR1535CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR1535CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR1545CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
MBR1545CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3S1500-4FGG456C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FG484
Microsemi Corporation
A3PE1500-2PQ208I
Microsemi Corporation
EPF6010ATC100-1
Intel
EPF10K50SFC256-2X
Intel
10CX105YF672E6G
Intel
XC7VX415T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
A42MX16-TQG176I
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-6LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S130F1508I5
Intel