casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / UG1002-T
codice articolo del costruttore | UG1002-T |
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Numero di parte futuro | FT-UG1002-T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UG1002-T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-41 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UG1002-T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UG1002-T-FT |
1N4937G-T
Diodes Incorporated
MUR140-T
Diodes Incorporated
MUR160-T
Diodes Incorporated
PR1001G-T
Diodes Incorporated
PR1002G-T
Diodes Incorporated
PR1003G-T
Diodes Incorporated
PR1004G-T
Diodes Incorporated
PR1005G-T
Diodes Incorporated
1N4933-T
Diodes Incorporated
1N4934-T
Diodes Incorporated
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel