casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / PR1002G-T
codice articolo del costruttore | PR1002G-T |
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Numero di parte futuro | FT-PR1002G-T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
PR1002G-T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 150ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-41 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PR1002G-T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PR1002G-T-FT |
PR3005-T
Diodes Incorporated
PR3005G-T
Diodes Incorporated
PR3006G-T
Diodes Incorporated
PR3007G-T
Diodes Incorporated
SB320-T
Diodes Incorporated
SB590-T
Diodes Incorporated
SD830-T
Diodes Incorporated
SD840-T
Diodes Incorporated
SD845-T
Diodes Incorporated
SD860-T
Diodes Incorporated
LCMXO1200E-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TS-1FCG484I
Microsemi Corporation
EP1S20F672C6
Intel
EPF10K100ABI600-2
Intel
EP3C25F256A7N
Intel
5SGXMA4K2F40C1N
Intel
10CL016ZE144I8G
Intel
5AGXMA3D4F27I3N
Intel
A54SX08A-TQG100
Microsemi Corporation
5CGTFD9C5F23I7N
Intel