casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / UF4006HR1G
codice articolo del costruttore | UF4006HR1G |
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Numero di parte futuro | FT-UF4006HR1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
UF4006HR1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | 17pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UF4006HR1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UF4006HR1G-FT |
SR105HR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR106 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR106 R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR106HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR106HB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR106HR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR109 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR109 B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR109 R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SR109HA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel