casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / SR106HA0G
codice articolo del costruttore | SR106HA0G |
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Numero di parte futuro | FT-SR106HA0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
SR106HA0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 700mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SR106HA0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | SR106HA0G-FT |
SF13G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF13G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF13G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF13GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF13GHB0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF13GHR1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF14G A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF14G B0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF14G R1G
Taiwan Semiconductor Corporation
SF14GHA0G
Taiwan Semiconductor Corporation
AX250-2FG484
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F27C4N
Intel
EP2SGX60EF1152C3N
Intel
LFE2-12SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBI356-4
Intel
EPF6016QC208-2N
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel