casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / UES1002
codice articolo del costruttore | UES1002 |
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Numero di parte futuro | FT-UES1002 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
UES1002 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 975mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 25ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | A, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UES1002 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | UES1002-FT |
APTDF500U20G
Microsemi Corporation
APTDF450U60G
Microsemi Corporation
APTDF430U100G
Microsemi Corporation
APTDF400U120G
Microsemi Corporation
APT15DQ120KG
Microsemi Corporation
APT15DQ60KG
Microsemi Corporation
APT10SCD120K
Microsemi Corporation
APT30DQ60KG
Microsemi Corporation
MSC010SDA120K
Microsemi Corporation
APT15D60KG
Microsemi Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel