casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / TWM3J1K0
codice articolo del costruttore | TWM3J1K0 |
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Numero di parte futuro | FT-TWM3J1K0 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TWM |
TWM3J1K0 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Resistenza | 1 kOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 3W |
Composizione | Metal Oxide Film |
Caratteristiche | Flame Proof, Safety |
Coefficiente di temperatura | ±350ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 275°C |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Radial Lead |
Dimensione / Dimensione | 0.492" L x 0.354" W (12.50mm x 9.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 1.024" (26.00mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TWM3J1K0 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TWM3J1K0-FT |
TWW3JR82
Ohmite
TWM5J100E
Ohmite
TWM5J10KE
Ohmite
TWM5J150E
Ohmite
TWM5J1K0E
Ohmite
TWM5J1K5E
Ohmite
TWM5J200E
Ohmite
TWM5J270E
Ohmite
TWM5J2K0E
Ohmite
TWM5J2K7E
Ohmite
AT6005A-4AI
Microchip Technology
XCV200-4FG256I
Xilinx Inc.
XC2V500-5FGG456C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG484I
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C6
Intel
10AX032H2F34E2SG
Intel
5SGXMB9R2H43I3N
Intel
LFE2-12E-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230FF35I4N
Intel