casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / TWM5J200E
codice articolo del costruttore | TWM5J200E |
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Numero di parte futuro | FT-TWM5J200E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | TWM |
TWM5J200E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 200 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 5W |
Composizione | Metal Oxide Film |
Caratteristiche | Flame Proof, Safety |
Coefficiente di temperatura | ±350ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 275°C |
Pacchetto / caso | Radial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Radial Lead |
Dimensione / Dimensione | 0.492" L x 0.354" W (12.50mm x 9.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 1.024" (26.00mm) |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TWM5J200E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TWM5J200E-FT |
TWW5J2R7
Ohmite
TWW5J30R
Ohmite
TWW5J33R
Ohmite
TWW5J39R
Ohmite
TWW5J3R0
Ohmite
TWW5J3R3
Ohmite
TWW5J3R9
Ohmite
TWW5J43R
Ohmite
TWW5J47R
Ohmite
TWW5J4R3
Ohmite
M1A3PE1500-FG484I
Microsemi Corporation
EP3C5M164C7N
Intel
5SGXMA4H1F35C2LN
Intel
XC5VLX110T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC3B6F23C7N
Intel
10AX115N4F45I3SG
Intel
10AX115U4F45I3SGE2
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K100EQI240-3
Intel