casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / TSPB5H100S S2G
codice articolo del costruttore | TSPB5H100S S2G |
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Numero di parte futuro | FT-TSPB5H100S S2G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TSPB5H100S S2G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 660mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 150µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMPC4.0 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSPB5H100S S2G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TSPB5H100S S2G-FT |
SFAF1604G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF1604GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF1605G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF1605GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF1606G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF1606GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF1607G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF1607GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF1608G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
SFAF1608GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel