casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TSM900N10CH X0G
codice articolo del costruttore | TSM900N10CH X0G |
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Numero di parte futuro | FT-TSM900N10CH X0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TSM900N10CH X0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 15A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.3nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1480pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 50W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-251 (IPAK) |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM900N10CH X0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TSM900N10CH X0G-FT |
TPN2R203NC,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN4R203NC,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN5900CNH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN6R003NL,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TPN8R903NL,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J511NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J501NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J502NU,LF
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SSM6J503NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J505NU,LF
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