casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TSM8N80CI C0G
codice articolo del costruttore | TSM8N80CI C0G |
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Numero di parte futuro | FT-TSM8N80CI C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TSM8N80CI C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.05 Ohm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1921pF @ 25V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 40.3W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AB |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM8N80CI C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TSM8N80CI C0G-FT |
IRLD024PBF
Vishay Siliconix
IRFD9120PBF
Vishay Siliconix
IRFD024PBF
Vishay Siliconix
IRFD210PBF
Vishay Siliconix
IRLD110PBF
Vishay Siliconix
IRFD9020PBF
Vishay Siliconix
IRFD9010PBF
Vishay Siliconix
IRFDC20PBF
Vishay Siliconix
IRFD014PBF
Vishay Siliconix
IRFD9210PBF
Vishay Siliconix
XC3S200-4FTG256I
Xilinx Inc.
XC4020XL-1PQ208C
Xilinx Inc.
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
5SGSED8K2F40I2N
Intel
XC2V2000-5FF896I
Xilinx Inc.
M2GL060T-FGG676
Microsemi Corporation
A40MX04-PQG100M
Microsemi Corporation
LFEC15E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1SGX40GF1020I6
Intel