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Taiwan Semiconductor Corporation TSM850N06CX RFG

Name: TSM850N06CX RFG
Brand: Taiwan Semiconductor Corporation
SKU: TSM850N06CX RFG
Price: 0.083952 USD
Availability: InStock
Rating: 5.0 (739 reviews)

Numero parte MFG: TSM850N06CX RFG

quantità disponibile: 15160 pezzi

Prezzo di riferimento: USD 0.083952

Il nostro prezzo: Abbiamo un grande sconto, non esitate a contattarci

Data di spedizione: Oggi possiamo spedire

fabbricante: Taiwan Semiconductor Corporation

Breve descrizione: - MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23

Stato senza piombo / Stato RoHS: Conformità RoHS (senza piombo)

Livello di sensibilità all'umidità (MSL): 1 (illimitato)

Codice data (D / C): Nuovo

categoria di prodotto: Transistor - FET, MOSFETs - Single

Risorsa stock: Distributore in franchising

Garanzia: 360 giorni di garanzia di qualità

scheda dati: TSM850N06CX RFG.pdf

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TSM850N06CX RFG specificazioni

codice articolo del costruttore	TSM850N06CX RFG
Numero di parte futuro	FT-TSM850N06CX RFG
SPQ / MOQ	Contattaci
Materiale di imballaggio	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
TSM850N06CX RFG Stato (ciclo di vita)	Disponibile
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	3A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	85 mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.5nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	529pF @ 30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.7W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-23
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paese d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM850N06CX RFG Peso	Contattaci
Numero parte di ricambio	TSM850N06CX RFG-FT

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