casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TSM80N400CF C0G
codice articolo del costruttore | TSM80N400CF C0G |
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Numero di parte futuro | FT-TSM80N400CF C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TSM80N400CF C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400 mOhm @ 2.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1848pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 69W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220S |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM80N400CF C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TSM80N400CF C0G-FT |
SSM6K504NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6K513NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
IRLD120PBF
Vishay Siliconix
IRFD110PBF
Vishay Siliconix
IRLD024PBF
Vishay Siliconix
IRFD9120PBF
Vishay Siliconix
IRFD024PBF
Vishay Siliconix
IRFD210PBF
Vishay Siliconix
IRLD110PBF
Vishay Siliconix
IRFD9020PBF
Vishay Siliconix
XC4005XL-2PQ100I
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FG456C
Xilinx Inc.
EPF10K100AFC484-3
Intel
EP4CE10F17C8L
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EP2AGX95DF25C6
Intel
XC6VLX240T-1FF1156C
Xilinx Inc.
XC4VFX40-10FF672C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation