casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TSM7NC65CF C0G
codice articolo del costruttore | TSM7NC65CF C0G |
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Numero di parte futuro | FT-TSM7NC65CF C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TSM7NC65CF C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 7A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.35 Ohm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1169pF @ 50V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 44.6W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220S |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM7NC65CF C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TSM7NC65CF C0G-FT |
SSM6J507NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6K504NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6K513NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
IRLD120PBF
Vishay Siliconix
IRFD110PBF
Vishay Siliconix
IRLD024PBF
Vishay Siliconix
IRFD9120PBF
Vishay Siliconix
IRFD024PBF
Vishay Siliconix
IRFD210PBF
Vishay Siliconix
IRLD110PBF
Vishay Siliconix
XC3S1600E-5FGG320C
Xilinx Inc.
XC3S250E-4VQ100I
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-6900C-6BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX50CF23C7
Intel
5SGXEA3K1F40C2L
Intel
5SGXMA3K2F40C2LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC6VLX195T-3FFG784C
Xilinx Inc.
5CGXFC4C7U19C8N
Intel