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Taiwan Semiconductor Corporation TSM6NB60CI C0G

Numero parte MFG
TSM6NB60CI C0G
quantità disponibile
36620 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0
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fabbricante
Taiwan Semiconductor Corporation
Breve descrizione
- MOSFET N-CHANNEL 600V 6A ITO220
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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codice articolo del costruttore TSM6NB60CI C0G
Numero di parte futuro FT-TSM6NB60CI C0G
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
TSM6NB60CI C0G Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6 Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.3nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 872pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 40W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore ITO-220AB
Pacchetto / caso TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM6NB60CI C0G Peso Contattaci
Numero parte di ricambio TSM6NB60CI C0G-FT

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