casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TSM60NB600CF C0G
codice articolo del costruttore | TSM60NB600CF C0G |
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Numero di parte futuro | FT-TSM60NB600CF C0G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TSM60NB600CF C0G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 8A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 1.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 528pF @ 100V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 41.7W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220S |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Full Pack |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM60NB600CF C0G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TSM60NB600CF C0G-FT |
SSM6J503NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J505NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6J507NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6K504NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
SSM6K513NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
IRLD120PBF
Vishay Siliconix
IRFD110PBF
Vishay Siliconix
IRLD024PBF
Vishay Siliconix
IRFD9120PBF
Vishay Siliconix
IRFD024PBF
Vishay Siliconix
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel