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Diodes Incorporated DMS3015SSS-13

Numero parte MFG
DMS3015SSS-13
quantità disponibile
46130 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.144784
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fabbricante
Diodes Incorporated
Breve descrizione
- MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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DMS3015SSS-13 specificazioni

codice articolo del costruttore DMS3015SSS-13
Numero di parte futuro FT-DMS3015SSS-13
SPQ / MOQ Contattaci
Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
DMS3015SSS-13 Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 11A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.9 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30.6nC @ 10V
Vgs (massimo) ±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1276pF @ 15V
Caratteristica FET Schottky Diode (Body)
Dissipazione di potenza (max) 1.55W (Ta)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMS3015SSS-13 Peso Contattaci
Numero parte di ricambio DMS3015SSS-13-FT

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