casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / TSM600P03CS RLG
codice articolo del costruttore | TSM600P03CS RLG |
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Numero di parte futuro | FT-TSM600P03CS RLG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
TSM600P03CS RLG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.7A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.6nC @ 4.5V |
Vgs (massimo) | ±20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 560pF @ 15V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOP |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
TSM600P03CS RLG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | TSM600P03CS RLG-FT |
TSM100N06CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM60NB190CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM13N50ACZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM210N06CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM4NB60CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM60N380CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM6NB60CZ C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM60NB190CM2 RNG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM170N06CP ROG
Taiwan Semiconductor Corporation
TSM60NB900CP ROG
Taiwan Semiconductor Corporation
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
Intel
XCS05-3PC84C
Xilinx Inc.
XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel
EP1S60F1020C5N
Intel