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Taiwan Semiconductor Corporation TSM4NB60CH X0G

Numero parte MFG
TSM4NB60CH X0G
quantità disponibile
25160 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.241648
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Data di spedizione
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fabbricante
Taiwan Semiconductor Corporation
Breve descrizione
- MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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TSM4NB60CH X0G specificazioni

codice articolo del costruttore TSM4NB60CH X0G
Numero di parte futuro FT-TSM4NB60CH X0G
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
TSM4NB60CH X0G Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.5nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 50W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-251 (IPAK)
Pacchetto / caso TO-251-3 Stub Leads, IPak
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
TSM4NB60CH X0G Peso Contattaci
Numero parte di ricambio TSM4NB60CH X0G-FT

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